5G, emeli intellekt (AI) we zatlaryň interneti (IoT) çalt ösmegi bilen ýarymgeçiriji pudagynda ýokary öndürijilikli materiallara bolan isleg ep-esli artdy.Zirkonium tetrahlorid (ZrCl₄)möhüm ýarymgeçiriji material hökmünde ýokary k filmleri taýýarlamakda esasy roly sebäpli ösen proses çipleri (3nm / 2nm ýaly) zerur çig mal boldy.
Zirkonium tetrahlorid we ýokary k filmler
Ondarymgeçiriji önümçiliginde ýokary k filmler çip öndürijiligini gowulandyrmak üçin esasy materiallardan biridir. Adaty kremniý esasly derwezäniň dielektrik materiallarynyň (SiO₂ ýaly) üznüksiz gysylmagy bilen, olaryň galyňlygy fiziki çäklere ýakynlaşýar, netijede syzyşlaryň köpelmegi we energiýa sarp edilişiniň ep-esli ýokarlanmagy. Kokary k materiallar (sirkonium oksidi, hafniý oksidi we ş.m.) dielektrik gatlagynyň fiziki galyňlygyny netijeli ýokarlandyryp, tuneliň täsirini azaldyp biler we şeýlelik bilen elektron enjamlaryň durnuklylygyny we işleýşini ýokarlandyryp biler.
Zirkonium tetrahlorid ýokary k filmleri taýýarlamak üçin möhüm başlangyçdyr. Zirkonium tetrahloridi himiki bug buglanyşy (CVD) ýa-da atom gatlagy (ALD) ýaly prosesler arkaly ýokary arassa sirkonium oksid filmlerine öwrüp bolýar. Bu filmler ajaýyp dielektrik häsiýetlere eýedir we çipleriň öndürijiligini we energiýa netijeliligini ep-esli ýokarlandyryp biler. Mysal üçin, TSMC tranzistoryň dykyzlygynyň ýokarlanmagyna we energiýa sarp edilişiniň azalmagyna sebäp bolan ýokary dielektrik hemişelik filmleriň ulanylmagyny öz içine alýan 2nm prosesinde dürli täze materiallary we prosesi gowulandyrmagy hödürledi.
Global üpjünçilik zynjyrynyň dinamikasy
Global ýarymgeçiriji üpjünçilik zynjyrynda üpjünçilik we önümçilik görnüşisirkonium tetrahloridpudagynyň ösmegi üçin möhümdir. Häzirki wagtda Hytaý, ABŞ we Japanaponiýa ýaly ýurtlar we sebitler sirkonium tetrahlorid we şuňa meňzeş ýokary dielektrik hemişelik materiallary öndürmekde möhüm orny eýeleýär.
Tehnologiki üstünlikler we geljekdäki perspektiwalar
Tehnologiki üstünlikler ýarymgeçiriji pudagynda sirkonium tetrahloridiň ulanylmagyny öňe sürmekde esasy faktorlardyr. Soňky ýyllarda atom gatlagynyň çökdürilmegi (ALD) prosesiniň optimizasiýasy gözleg merkezine öwrüldi. ALD prosesi nanoskale filmdäki galyňlygy we birmeňzeşligi takyk dolandyryp biler we şeýlelik bilen ýokary dielektrik hemişelik filmleriň hilini ýokarlandyrar. Mysal üçin, Pekin uniwersitetiniň Liu Leiniň gözleg topary çygly himiki usul bilen ýokary dielektrik hemişelik amorf film taýýarlady we ony iki ölçegli ýarymgeçiriji elektron enjamlaryna üstünlikli ulandy.
Mundan başga-da, ýarymgeçiriji prosesleriň kiçi ululyklara geçmegi bilen, sirkonium tetrahloridiň ulanylyş gerimi hem giňelýär. Mysal üçin, TSMC 2025-nji ýylyň ikinji ýarymynda 2nm tehnologiýany köpçülikleýin öndürmegi meýilleşdirýär we Samsung 2nm işiniň gözlegine we ösüşine işjeň goldaw berýär. Bu ösen prosesleriň amala aşyrylmagy ýokary dielektrik hemişelik filmleriň goldawy bilen aýrylmazdyr we esasy çig mal hökmünde sirkonium tetrahlorid öz-özünden möhümdir.
Gysgaça aýtsak, ýarymgeçiriji pudagynda sirkonium tetrahloridiň esasy roly barha artýar. “5G”, “AI” we “Internet of Things” -iň meşhurlygy bilen ýokary öndürijilikli çiplere isleg artýar. Zirkonium tetrahlorid, ýokary dielektrik hemişelik filmleriň möhüm başlangyjy hökmünde indiki nesil çip tehnologiýasynyň ösmeginde ornuny tutup biler. Geljekde tehnologiýanyň yzygiderli ösmegi we global üpjünçilik zynjyrynyň optimizasiýasy bilen sirkonium tetrahloridiň ulanylyş mümkinçilikleri has giň bolar.
Iş wagty: Aprel-14-2025